Inicio / Clústeres / Materiales para el Futuro / Grupos / III-V /
English     FacebookTwitterRSS

III-V

Semiconductores III-V

Patentes

Patentes

  • PCT/ES2009/070041. Uso de material modificado en su topografía superficial en dispositivos que generen una corriente eléctrica a partir de luz incidente
    Alcance: Nacional
    Inventores: P. A. Postigo, L. Martínez, Alfonso Rodríguez, Fernando Briones, Yolanda González, Luisa González, Lucio Andreani, Matteo Galli, Antonio Luque, Antonio Martí, C. Algora y Beatriz Galiana
    Año: 2009
    Licencia de explotación: No
  • EP10382076.7 . Method implemented in a computer for the numerical simulation of semiconductor devices comprising tunnel junctions
    Alcance: Internacional
    Inventores: I. García, P. Espinet, C. Algora, I. Rey-Stolle, M. Baudrit
    Año: 2010
    Licencia de explotación: No


SubirSubir

Integrantes
15


Imagen grupo
Responsable:
Carlos Algora del Valle


Keywords:

Célula solar.

Semiconductores III-V.

MOVPE.

caracterización de material.

Modelado de dispositivo.











Ministerio de Educación, Cultura y Deporte CEI Campus de Excelencia Internacional Ministerio de Economía y Competitividad
Proyecto financiado por el Ministerio de Educación, Cultura y Deporte, y el Ministerio de Economía y Competitividad en el marco del Programa Campus de Excelencia Internacional
La navegación por este sitio web implica la aceptación del uso de cookies propias y de terceros necesarias para su correcto funcionamiento.