Seminarios Internacionales de Fronteras de la Ciencia de los Materiales UPM- CEI Moncloa

INTEGRACIÓN SEMICONDUCTORES III-V/DIELÉCTRICOS HIGH-K COMO ALTERNATIVA PARA LA FABRICACIÓN DE UNA NUEVA GENERACIÓN DE TRANSISTORES

12/12/2012

Título: Integración semiconductores III-V/dieléctricos High-K como alternativa para la fabricación de una nueva generación de transistores

Fecha: Lunes 17 de diciembre de 2012 a las 09:30

Lugar: ETSI Caminos, sótano 1

Seminarista: Marcos Benedicto Córdoba

Entrada libre hasta completar aforo



Resumen

Los transistores convencionales están basados en Si, que cumple la función de canal en los dispositivos, y SiO2, que actúa como óxido de puerta, materiales que, durante más de 40 años, han satisfecho las demandas exigidas por la industria tecnológica.

Actualmente nos estamos acercando al límite físico del SiO2, referido al espesor del óxido de puerta, por lo que debe ser reemplazado por materiales con mayor constante dieléctrica, como los dieléctricos de alta permitividad, o dielectricos high-k. La inclusión de los high-k como óxidos de puerta, junto con los semiconductores III-V, como canal de los dispositivos, permitiría la fabricación de una nueva generación de transistores de mayor rendimiento y menor tamaño. No obstante, la integración III-V/high-k presenta importantes problemas debido al anclaje del nivel de Fermi en las intercaras III-V/high-k.

Una alternativa para solucionar estos problemas es la aplicación de la técnica de recrecimiento epitaxial lateral (epitaxial lateral overgrowth, ELO) sobre sustratos high-k/III-V nanoestructurados.



Para más información contactar con:
Dr. José Ygnacio Pastor, Organizador y Coordinador Científico
Departamento de Ciencia de Materiales. Universidad Politécnica de Madrid
ETSI Caminos, Canales y Puertos
C/ Profesor Aranguren, Planta –1. , s.n. E28040–Madrid
T. (+34) 913 366 684. F. (+34) 913 366 680. jypastor@mater.upm.es

Ámbito: Materiales para el Futuro    Fuente: Universidad Politécnica de Madrid

Fecha del evento:

17/12/2012