Campus Moncloa

Equipos e instalaciones más destacadas o singulares

• Adecuación de un reactor de epitaxia de haces moleculares (MBE) para el crecimiento epitaxial de nanoestructuras semiconductoras.MICINN. UNPM13-4E-2486. Convocatoria de Infraestructura Científico-Tecnológica (2012-2013). IP por la UPM: Enrique Calleja
  
• Banco de caracterización de láseres de semiconductor con equipos electrónicos asociados
  
• Caracterización de dispositivos fotónicos
  
• Cortadoras de disco de ultraprecisión, Scriber de diamante y perfilómetro
  
• Difractómetros de Rayos X de alta resolución (XRD) (2 sistemas)
  
• Espectrómetro de absorción FTIR (VIS, IR) (Nicolet 760)
  
• Estación de caracterización eléctrica y óptica para alta T (hasta 400°C)
  
• Estación de micropuntas y sistemas de análisis de redes en RF (< 20 GHz)
  
• Estaciones de puntas de chips (baja capacidad) para VLSI y dispositivos discretos (2 sistemas)
  
• Extension de medida de catodoluminiscencia (CL) al rango infrarojo en microscopio de barridoMICINN. UNPM13-4E-2414. Convocatoria de Infraestructura Científico-Tecnológica (2012-2013). IP por la UPM: Enrique Calleja electrónico FESEM
  
• Medida eléctrica de perfil de dopante en profundidad (perfilómetro de punta de mercurio)
  
• Medidor de espesores
  
• Microscopio de corriente inducida por haz de electrones (EBIC)
  
• Microscopio de fuerzas atómicas (AFM)
  
• Microscopio electrónico de barrido (SEM) con EDAX
  
• Microscopio óptico Nomarski de alta resolución
  
• Sistema de ataque seco reactivo (RIE)
  
• Sistema de caracterización eléctrica automatizada de transistores y dispositivos (C-V, I-V, C-f, ruido 1/f, T, etc) hasta 1GHz
  
• Sistema de caracterización eléctrica y óptica bajo presión hidrostática
  
• Sistema de caracterización Magnética(Vibrating Sample Magnetometer: VSM)
  
• Sistema de caracterización por efecto Hall
  
• Sistema de nanolitografía de alta resolución (resolución línea 10 nm)
  
• Sistema de observación de dominios magnéticos (tratamiento digital de imágenes)
  
• Sistema de pulverización catódica (sputtering) mediante Magnetrón (4 sistemas)
  
• Sistemas de captura y análisis de imágenes
  
• Sistemas de caracterización eléctrica de defectos (DLTS)
  
• Sistemas de caracterización óptica de detectores
  
• Sistemas de crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE) y cámaras asociadas de transferencia y metalización (3 sistemas)
  
• Sistemas de criogenia (5 sistemas)
  
• Sistemas de depósito de capas finas por métodos químicos CVD y PECVD
  
• Sistemas de fotolitografía óptica (resolución >1 micra) (2 sistemas) y litografía por haz de electrones
  
• Sistemas de fotoluminiscencia UV, VIS e IR (4 sistemas)
  
• Sistemas de metalización térmica (Joule, e-beam) (5 sistemas)
  
• Sistemas de microsoldadura ultrasónica y por termocompresión (2 sistemas)
  
• Sistemas de recocido térmico convencional y rápido (RTA) (5 sistemas)
  
• Sistemas electrónicos de caracterización y medida (trazador de características, parametrizador, puentes de impedancia, osciloscopio de muestreo, generadores nanovoltímetros, amplificadores por ajuste de fase, etc.)