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GDS-ISOM

Dispositivos Semiconductores del ISOM-UPM

UPM
E.T.S.I. Telecomunicación
Universidad Politécnica de Madrid


 


Las aportaciones del grupo se han basado en la dilatada experiencia en el ámbito de los semiconductores compuestos, micro y nanotecnologíay y simulación de materiales no-metálicos, de los miembros del Grupo, y en la capacidad tecnológica via la ICTS del ISOM, singular en el CEI-Moncloa, para la fabricación de micro y nanoestructuras
El GDS-UPM ha colaborado con tres grupos de investigación de la UCM, hay 8 proyectos en que participan/han participado investigadores de la UCM, y hay un total de 16 publicaciones en que participan, de una forma u otra, investigadores del CEI-Moncloa no adscritos a la UPM. Gracias a la coordinacióny financiación conjunta CEI-Moncloa y UPM, el GDS ha participado en la incorporación al CEI-Moncloa de 3 investigadores postdoctorales (nuevos contratos) y de dos becarios predoctorales.

Asimismo, y gracias a la coordinación y financiación conjunta CEI-Moncloa-UPM en 2011, por pertición desde el GDS se va a incorporar un sistema avanzado de microscopía electrónica de barrido con catodoluminiscencia que permitirá la investigación en el CEI, y la caracterización avanzada de estructuras nanométricas.

El GDS-UPM a través de la ICTS_ISOM ha colaborado en la realización de 16 etapas tecnológicas especializadas, y solicitadas por investigadores del CEI-Moncloa no adscritos a la UPM.

El GDS-UPM ha destacado y priorizado su participación en el CEI-Moncloa difundiendo y detallando esas actividades conjuntas en su página web http://www.isom.upm.es/cei.php

OBJETIVOS Y APORTACIONES QUE DESEARIA REALIZAR EL GRUPO AL CEI-MONCLOA EN LOS PROXIMOS AÑOS


Dentro de los clusters indicados, y de las líneas de actuación en Energía y Materiales Funcionales, el GDS desea mantener e intensificar la actividad conjunta con otros Grupos de investigación en:

- materiales y nanoestructuras de interés para Iluminación de estado sólido
- materiales y tecnología para sistemas de almacenamiento de energía basados en nanoestructuras de carbono
- nanoestructuras de interés para sensores ópticos y biosensores
- nuevas estructuras fotovoltaicas con mejor balance eficiencia-coste
- obtener avances en materiales y tecnología para microsistemas y dispositivos electrónicos en alta frecuencia-alta potencia
- simulación de materiales no-metálicos

El GDS-ISOM-UPM espera próximamente poder aportar al CEI-Moncloa una capacidad tecnológica y de caracterización mejoradas por,

- la incorporación del equipo FESEM-CL,
- la plena operatividad del sistema de ataques secos tipo ICP,
- la puesta en marcha y operación del nuevo equipo MOMBE para la fabricación de semiconductores III-V,
- la disponibilidad de una cámara de introducción con capacidad de ataque por iones asociada al sistema MBE-Arseniuros.
- la disponibilidad de equipos para la fabricación de grafeno

Más información del Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM en el OBSERVATORIO I+D+i:
http://www.upm.es/observatorio/vi/index.jsp?pageac=fichaGrupo.jsp&id_articulo=238&id_tipo_articulo=6&idGrupo=260



  • Líneas de acción del clúster de Cambio Global y Nuevas Energías
  • Tecnologías medioambientales y nuevas energías

  • Líneas de acción del clúster de Materiales para el Futuro
  • Materiales funcionales

 


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Integrantes
42


Responsable:
Fernando Calle Gómez


Keywords:

Semiconductores III-As.

Nitruros III-V.

Grafeno.

Oxidos.

Crecimiento de semiconductores.

Crecimiento Epitaxial por haces moleculares (MBE).

Simulación de materiales no metálicos.

Dispositivos Semiconductores.

Fotodectores de IR/VIS/UV.

Emisores de luz IR/VIS/UV.

Sensores químicos y biosensores.

MEMS.

Transistores HEMT.

Filtros SAW.

Microtecnología.

Nanotecnología.

Nanoestructuras.

Microsistemas y nanosistemas.











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Proyecto financiado por el Ministerio de Educación, Cultura y Deporte, y el Ministerio de Economía y Competitividad en el marco del Programa Campus de Excelencia Internacional
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