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GDS-ISOM

Semiconductor Devices Group

Equipos e instalaciones

Equipment and facilities

  • Adecuación de un reactor de epitaxia de haces moleculares (MBE) para el crecimiento epitaxial de nanoestructuras semiconductoras.MICINN. UNPM13-4E-2486. Convocatoria de Infraestructura Científico-Tecnológica (2012-2013). IP por la UPM: Enrique Calleja
  • Banco de caracterización de láseres de semiconductor con equipos electrónicos asociados
  • Caracterización de dispositivos fotónicos
  • Cortadoras de disco de ultraprecisión, Scriber de diamante y perfilómetro
  • Difractómetros de Rayos X de alta resolución (XRD) (2 sistemas)
  • Espectrómetro de absorción FTIR (VIS, IR) (Nicolet 760)
  • Estación de caracterización eléctrica y óptica para alta T (hasta 400°C)
  • Estación de micropuntas y sistemas de análisis de redes en RF (< 20 GHz)
  • Estaciones de puntas de chips (baja capacidad) para VLSI y dispositivos discretos (2 sistemas)
  • Extension de medida de catodoluminiscencia (CL) al rango infrarojo en microscopio de barridoMICINN. UNPM13-4E-2414. Convocatoria de Infraestructura Científico-Tecnológica (2012-2013). IP por la UPM: Enrique Calleja electrónico FESEM
  • Medida eléctrica de perfil de dopante en profundidad (perfilómetro de punta de mercurio)
  • Medidor de espesores
  • Microscopio de corriente inducida por haz de electrones (EBIC)
  • Microscopio de fuerzas atómicas (AFM)
  • Microscopio electrónico de barrido (SEM) con EDAX
  • Microscopio óptico Nomarski de alta resolución
  • Sistema de ataque seco reactivo (RIE)
  • Sistema de caracterización eléctrica automatizada de transistores y dispositivos (C-V, I-V, C-f, ruido 1/f, T, etc) hasta 1GHz
  • Sistema de caracterización eléctrica y óptica bajo presión hidrostática
  • Sistema de caracterización Magnética(Vibrating Sample Magnetometer: VSM)
  • Sistema de caracterización por efecto Hall
  • Sistema de nanolitografía de alta resolución (resolución línea 10 nm)
  • Sistema de observación de dominios magnéticos (tratamiento digital de imágenes)
  • Sistema de pulverización catódica (sputtering) mediante Magnetrón (4 sistemas)
  • Sistemas de captura y análisis de imágenes
  • Sistemas de caracterización eléctrica de defectos (DLTS)
  • Sistemas de caracterización óptica de detectores
  • Sistemas de crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE) y cámaras asociadas de transferencia y metalización (3 sistemas)
  • Sistemas de criogenia (5 sistemas)
  • Sistemas de depósito de capas finas por métodos químicos CVD y PECVD
  • Sistemas de fotolitografía óptica (resolución >1 micra) (2 sistemas) y litografía por haz de electrones
  • Sistemas de fotoluminiscencia UV, VIS e IR (4 sistemas)
  • Sistemas de metalización térmica (Joule, e-beam) (5 sistemas)
  • Sistemas de microsoldadura ultrasónica y por termocompresión (2 sistemas)
  • Sistemas de recocido térmico convencional y rápido (RTA) (5 sistemas)
  • Sistemas electrónicos de caracterización y medida (trazador de características, parametrizador, puentes de impedancia, osciloscopio de muestreo, generadores nanovoltímetros, amplificadores por ajuste de fase, etc.)


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Members
42


Head:
Fernando Calle Gómez


Keywords:

III-As semiconductors.

III-V Nitrides.

Graphene.

Oxides.

Semiconductor growth.

Molecular Beam Epitaxy (MBE).

Simulation of non-metallic materials.

Semiconductors Devices.

IR/VIS/UV photodetectors.

IR/VIS/UV light emitters.

Chemical sensors and biosensors.

MEMS.

HEM transistors.

SAW filters.

Microtechnology.

Nanotechnology.

Nanostructures.

Microsystems and nanosystems.










Ministry of Education, Culture & Sports CEI Campus of International Excellence Ministry of Economy & Competitiveness
Funded project by the Ministry of Education, Culture & Sports, and the Ministry of Economy & Competitiveness within the framework of the Campus of International Excellence
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